개요
많은 종류의 메모리가 존재하는데, 크게 읽기/쓰기가 가능한 RAM(Random Access Memory)과 읽기만, 가능한 ROM(Read Only Memory)으로 나뉩니다.
RAM (Random Access Memory)
일반적으로 컴퓨터에서 사용하는 메모리로, Random Access는 어떠한 데이터를 읽어도 위치에 상관없이 같은 속도로 읽을 수 있다는 의미입니다.
여기서 말하는 램은 제1차 저장 장치이며, SSD나 HDD와 같은 저장 장치는 제2차 저장 장치입니다.
휘발성 메모리(Volatile Memory)와 비휘발성 메모리(Non-Volatile Memory)로 나뉩니다.
휘발성 메모리에는 크게 DRAM(Dynamic RAM)과 SRAM(Static RAM)이 있으며, 비휘발성 메모리에는 FRAM(Ferroelectric RAM), PRAM(Phase change RAM), MRAM(Magnetoresistive RAM), 플래시 메모리(Flash Memory) 등이 있습니다.
DRAM (Dynamic RAM)과 SRAM (Static RAM)
DRAM에 저장된 데이터는 일정 시간이 지나면 데이터가 사라지기 때문에, 주기적으로 데이터를 갱신해줘야 합니다.
반면 SRAM은 전력이 공급되는 한 데이터가 사라지지 않습니다. SRAM은 내부 구조가 복잡하여 가격은 비싸지만, 속도가 빠르기 때문에 캐시 메모리 등의 고속 메모리로 사용되고, DRAM은 일반적인 메모리에 사용됩니다.
즉, 일반적으로 컴퓨터 부품에서 “램”이라고 불리는 장치는 DRAM입니다.
플래시 메모리 (Flash Memory)
일반적으로 가장 널리 사용되는 비휘발성 메모리로, 대부분의 SSD, USB 등에서 사용됩니다.
단, 플래시 메모리의 소자는 많이 사용할 수록 소모되기 때문에, 플래시 메모리는 한정된 수명을 가지고 있습니다.
바이오스 등의 펌웨어가 저장되는 메모리로도 사용됩니다.
FRAM (Ferroelectric RAM), PRAM (Phase change RAM)과 MRAM (Magnetoresistive RAM)
셋 모두 차세대 메모리로, 발전중에 있는 메모리입니다.
FRAM은 강유전체라는 물질을 사용하는 메모리로, 저전력으로 동작하나, 내구성이 떨어지는 단점이 있습니다.
PRAM은 상변화를 이용한 메모리로, 가장 빠르게 발전하고 있는 메모리입니다. 단점으론 쓰는 속도가 느리다는 점이 있습니다.
MRAM은 자기저항을 이용한 메모리로, 내구성이 뛰어나지만 상대적으로 비싸다는 단점이 있습니다.
ROM (Read Only Memory)
램과 다르게 한번 저장된 데이터는 수정할 수 없는 메모리입니다. 때문에 변경 가능성이 없는 소프트웨어 등에서 사용됩니다.
ROM은 크게 PROM(Programmable ROM), EPROM(Erasable PROM), 마스크 ROM(Mask ROM)으로 나뉩니다.
PROM (Programmable ROM)
처음엔 빈 상태로 제공되며, 사용자가 PROM Writer라는 장치를 이용하여 단 1번 데이터를 쓸 수 있습니다.
EPROM (Erasable PROM)
PROM과 달리, EPROM은 데이터를 여러번 저장할 수 있습니다. 데이터를 수정할 때 EPROM Eraser라는 장치를 이용하여 데이터를 지우고 다시 써야 합니다.
내용을 어떻게 지우는지에 따라 UVEPROM과 EEPROM으로 나뉩니다.
마스크 ROM (Mask ROM)
제조 과정에서부터 프로그램화가 된 ROM으로, 사용자가 데이터를 변경할 수 없습니다